RF GaN -kiekot GaN-on-Si-sovelluksiin

RF GaN –kiekot GaN-on-Si-sovelluksiin asiakastarpeisiin räätälöityinä

Okmetic on onnistunut luomaan räätälöityjä tuotteita myös GaN-on-Si-sovelluksiin. Okmeticin räätälöidyt piikiekot erityisellä kidemateriaalilla helpottavat korkealaatuisen galliumnitridikerroksen (GaN) kasvattamista.  Okmetic on tehnyt piiominaisuuksien optimointia läheisessä yhteistyössä useiden alan toimijoiden kanssa hyödyntäen yleisesti käytettyjä GaN-tuotantoprosesseja.  

Okmeticin RF GaN –kiekot yksinkertaistavat epitaksiaaliprosessin määrittelyä, säätämistä ja tuotannollista ylösajoa. Täysi analyysi kiekon muodosta on saatavilla osana kiekon räätälöintiprosessia. Kiekonmuotoanalyysi mahdollistaa systemaattisen epitaksiaaliprosessin kontrollin ja kehityksen in-situ kiekkomonitoroinnin yhteydessä.

Okmetic on kehittänyt edelleen optimoituja BSOI-kiekkoja tehopuolijohdesovelluksiin. GaN-kerroksien kasvattaminen SOI-kiekoille mahdollistaa matalamman kiekkoon kohdistuvan rasituksen ja korkeamman röntgendiffraktiolla todetun kidelaadun muihin piiperäisiin substraatteihin verrattuna.  

SOI-kiekon rakenne tarjoaa sopivan alustan tehokkaan trench-eristyksen luomiselle. Kyseinen rakenne yhdessä haudatun oksidin ja matalahäviöisen aktiivikerroksen kanssa on omiaan vähentämään häviöitä sekä elementin kokoa korkean elektroniliikkuvuuden transistoreissa (HEMT).  

RF Gan-kiekkospeksit ja hyödyt

  • Saatavilla 150 ja 200 mm kiekkokoossa
  • Räätälöity vastaamaan vaativia GaN epi-kasvatuksen tarpeita
  • Korkearesistiivisyys: P-tyyppi ≥ 7000 Ohm-cm resistiivisyyteen asti sopivalla happikontrolloinnilla, tasapainotellen vakaan resistiivisyyden ja piihilan mekaanisen kestavyyden välillä.
  • Orientaation <111> pinnan orientaatiotarkkuus. Kilpailevaa korkearesistiivistä  FZ-materiaalia on ylipaansa erittain vaikea tehdä <111> orientaatiossa.
  • Räätälöidyt kiekkojen paksuusvaihtoehdot kiekkojen taipumisen ja vääntymisen estämiseksi (150mm koossa 1300µm saakka, 200mm koossa 1500µm saakka).
  • Poly ja LTO -mahdollisuudet taustapinnalle rasituksen vähentämiseksi entisestään
  • Saatavilla tarvittaessa myös kaksipuoleisesti kiillotetulla DSP-kiekolla.
  • SOI-pohjainen kiekko edistyneitä GaN-on-Si-rakenteita varten.