RF GaN –kiekot GaN-on-Si-sovelluksiin asiakastarpeisiin räätälöityinä
Okmetic on onnistunut luomaan räätälöityjä tuotteita myös GaN-on-Si-sovelluksiin. Okmeticin räätälöidyt piikiekot erityisellä kidemateriaalilla helpottavat korkealaatuisen galliumnitridikerroksen (GaN) kasvattamista. Okmetic on tehnyt piiominaisuuksien optimointia läheisessä yhteistyössä useiden alan toimijoiden kanssa hyödyntäen yleisesti käytettyjä GaN-tuotantoprosesseja.
Okmeticin RF GaN –kiekot yksinkertaistavat epitaksiaaliprosessin määrittelyä, säätämistä ja tuotannollista ylösajoa. Täysi analyysi kiekon muodosta on saatavilla osana kiekon räätälöintiprosessia. Kiekonmuotoanalyysi mahdollistaa systemaattisen epitaksiaaliprosessin kontrollin ja kehityksen in-situ kiekkomonitoroinnin yhteydessä.
Okmetic on kehittänyt edelleen optimoituja BSOI-kiekkoja tehopuolijohdesovelluksiin. GaN-kerroksien kasvattaminen SOI-kiekoille mahdollistaa matalamman kiekkoon kohdistuvan rasituksen ja korkeamman röntgendiffraktiolla todetun kidelaadun muihin piiperäisiin substraatteihin verrattuna.
SOI-kiekon rakenne tarjoaa sopivan alustan tehokkaan trench-eristyksen luomiselle. Kyseinen rakenne yhdessä haudatun oksidin ja matalahäviöisen aktiivikerroksen kanssa on omiaan vähentämään häviöitä sekä elementin kokoa korkean elektroniliikkuvuuden transistoreissa (HEMT).
RF Gan-kiekkospeksit ja hyödyt
- Saatavilla 150 ja 200 mm kiekkokoossa
- Räätälöity vastaamaan vaativia GaN epi-kasvatuksen tarpeita
- Korkearesistiivisyys: P-tyyppi ≥ 7000 Ohm-cm resistiivisyyteen asti sopivalla happikontrolloinnilla, tasapainotellen vakaan resistiivisyyden ja piihilan mekaanisen kestavyyden välillä.
- Orientaation <111> pinnan orientaatiotarkkuus. Kilpailevaa korkearesistiivistä FZ-materiaalia on ylipaansa erittain vaikea tehdä <111> orientaatiossa.
- Räätälöidyt kiekkojen paksuusvaihtoehdot kiekkojen taipumisen ja vääntymisen estämiseksi (150mm koossa 1300µm saakka, 200mm koossa 1500µm saakka).
- Poly ja LTO -mahdollisuudet taustapinnalle rasituksen vähentämiseksi entisestään
- Saatavilla tarvittaessa myös kaksipuoleisesti kiillotetulla DSP-kiekolla.
- SOI-pohjainen kiekko edistyneitä GaN-on-Si-rakenteita varten.
