无台阶型SOI最大化晶圆的可用面积

无台阶型SOI硅片已成为Okmetic 200毫米SOI晶圆产品系列中被广泛采用的解决方案，产品涵盖了键合SOI（BSOI）、增强型SOI（E-SOI®）、电源管理SOI以及高阻SOI硅片。该解决方案在扩大有效使用面积的同时，还采用了针对器件制造进行优化的边缘设计。

每片晶圆的芯片数量更多 

通过消除晶圆边缘处常见的传统台阶（非SOI区域），无台阶型SOI技术相比标准SOI硅片可增加约4%的有效面积。此外，由于边缘排除区域的减少，固定质量面积（FQA）也增加了约3%，从而实现了晶圆表面的更高效利用，并提高了每片晶圆的芯片数量。这有助于器件制造商最大限度地提升每片晶圆的价值。

边缘设计经过优化 

除了最大化有效面积外，无台阶型SOI硅片还提供经过优化且可定制的边缘轮廓。经过精密控制的前倒角延伸至SOI层和埋氧层界面，从而提升了边缘的特性。 

通过最大限度地减少在某些器件制造条件下可能产生的薄硅悬垂，无台阶型SOI硅片有助于提高工艺的稳健性和一致性。这使得关键制造步骤能够更顺畅、更可靠地进行，包括键合晶圆堆栈减薄、外延生长、光刻、切片和硅片处理。 

以客户为导向的创新 

无台阶型SOI是基于客户合作的成果而开发的，现已广泛应用于各类领域，包括MEMS、传感器、射频及电源管理器件等。在这些领域中，最大限度地利用晶圆有效面积是一项重要考量。 

无台阶型SOI是Okmetic提供的多种SOI晶圆边缘解决方案之一，让客户能够灵活选择最符合其器件设计和制造要求的方案。 

Okmetic的键合SOI晶圆产品线包括以下产品： 

• 适用于BSOI、E-SOI®、电源管理及高阻SOI晶圆的无台阶型SOI  

• BSOI硅片——键合SOI，包括BSOI的变体：0.3 SOI、DSOI、LSOI和厚SOI硅片

• E-SOI®硅片——厚度均匀性极佳的增强型SOI硅片

• 电源管理SOI属于我们的功率硅片产品线

• 高阻BSOI是我们射频RFSi®硅片产品线的一部分

• C-SOI®硅片——空腔型SOI，包括C-SOI®的变体：EC-SOI、双层C-SOI®、带图案化器件层的C-SOI®、带多晶通孔的C-SOI®