RF GaN -kiekot GaN-on-Si-sovelluksiin

Okmeticin korkearesistiiviset RF GaN -kiekot GaN-on-Si-sovelluksiin ovat suunniteltu helpottamaan galliumnitridikerroksen (GaN) kasvattamista ja vähentämään kytkentähäviöitä.  

Okmeticin RF GaN –kiekot GaN-on-Si-sovelluksiin ovat suunniteltu kestämään galliumnitridikerroksen (GaN) kasvattamiseen liittyvää äärimmäistä rasitusta ja vähentämään RF-sovellusten kytkentähäviöitä. GaN-on-Si-sovelluksiin räätälöidyissä RF GaN –kiekoissamme yhdistyvät yli 7000 Ohm-cm resistiivisyys, optimoitu happipitoisuus ja muut kiekkojen taipumista ja vääntymistä vähentävät kiekkoparametrit. Tässä yhdistelmässä on otettu huomioon sekä vakaa resistiivisyys että piihilan mekaaninen kestävyys.  

Piikiekkoja, jotka ovat suunniteltu kestämään GaN-epitaksiaaliprosessin äärimmäistä rasitusta ja vähentämään RF-sovellusten kytkentähäviöitä

RF GaN -kiekkomme GaN-on-Si-sovelluksiin ovat pitkän kehitystyön tulos. Okmetic on tehnyt piiominaisuuksien optimointia läheisessä yhteistyössä useiden alan toimijoiden kanssa yleisesti käytettyjä GaN-tuotantoprosesseja hyödyntäen. Okmetic valmistaa myös perinteisemmissä tehopuolijohdesovelluksissa käytettäviä medium- ja matalaresistiivisiä kiekkoja GaN-on-Si-sovelluksiin.  

Kestäviä kiekkoja erinomaisella suorituskyvyllä

RF GaN –kiekkomme GaN-on-Si-sovelluksiin ovat suunniteltu helpottamaan korkealaatuisen galliumnitridikerroksen (GaN) kasvattamista ja kestämään RF GaN epi –prosessin äärimmäiset rasitukset. Näiden kiekkojen korkearesistiivisyys auttaa pitämään RF-sovellusten kytkentähyviöt alhaisina. Kiekonmuotoanalyysi puolestaan mahdollistaa epitaksiaaliprosessin systemaattisen ohjauksen ja kehittämisen in-situ kiekkomonitoroinnin yhteydessä. 

Okmeticin laaja valikoima kiekkopaksuuksia 380 ja 1150 μm välillä sekä tarjolla olevat erilaiset taustakäsittelyvaihtoehdot auttavat RF-sovelluksiin suunnattuja GaN-on-Si-alustoja niihin kohdistuvan rasituksen hallinnassa. Paksumpien kiekkojen on havaittu kestävän äärimmäistä rasitusta ohuempia kiekkoja paremmin metalliseoshilojen kuten GaN epi -kerroksien valmistuksessa.

RF GaN –kiekot GaN-on-Si-sovelluksiin ovat saatavilla 111 orientaatiossa, mikä yhdessä optimoidun happipitoisuuden kanssa auttaa kiekkoja kestämään rasitusta asiakkaan GaN-on-Si-prosessissa. Okmetic on pitkän MEMS-taustansa ansiosta oppinut kontrolloimaan kallistettua orientaatiota erittäin hyvin, mikä auttaa asiakkaita tarkan GaN-epitaksiaalikerroksen kasvattamisessa.  

Okmeticin piikiekot ovat johdonmukaisesti osoittaneet korkeampaa suorituskykyä GaN-on-Si-epitaksiaalin kasvattamisessa. GaN-epitaksiaaliprosessin aikana kiekon kaartumista tarkkaillaan ja kontrolloidaan. Okmeticin kiekot palaavat GaN-prosessissa tapahtuvan kaartumisen jälkeen lähelle alkuperäistä tilaa. Tämä on nähtävissä Okmeticin kiekoille GaN-on-Si-prosessissa teetetyssä geometrisessä kuvauksessa Aalto Yliopiston toimesta.

RF GaN -kiekoilla GaN-on-Si-sovelluksiin on monia hyötyjä

  • Räätälöity vastaamaan GaN epi-kasvatuksen vaativia tarpeita
  • Korkearesistiivisyys: P-tyyppi ≥ 7000 Ohm-cm resistiivisyyteen asti sopivalla happikontrolloinnilla, tasapainotellen vakaan resistiivisyyden ja piihilan mekaanisen kestavyyden välillä.
  • Orientaation <111> pinnan orientaatiotarkkuus. Kilpailevaa korkearesistiivistä  FZ-materiaalia on ylipäänsä erittäin vaikeata tehdä <111> orientaatiossa.
  • Räätälöidyt kiekkojen paksuusvaihtoehdot kiekkojen taipumisen ja vääntymisen estämiseksi (150- 200mm koossa 1150µm saakka).
  • LTO -mahdollisuus taustapinnalle rasituksen vähentämiseksi entisestään
  • Saatavilla tarvittaessa myös kaksipuoleisesti kiillotetulla DSP-kiekolla.

RF GaN-kiekkojen spesifikaatiot for GaN-on-Si-sovelluksiin

KasvatusmenetelmäMCz, A-MCz®
Halkaisija150mm, 200mm
Kideorientaatio<111>
N-tyypin seosaineetFosfori
P-tyypin seosaineetBoori
ResistiivisyysJopa > 7000 Ohm-cm
SSP-kiekkopaksuus150mm: 400 ja 1150 µm välillä ; 200mm: 550 ja 1150 µm välillä
DSP-kiekkopaksuus150mm: 380 ja >1150 µm välillä ; 200mm: 380 ja >1150 µm* välillä
*Muut paksuudet mahdollisia tietyin rajoituksin
Taustapinnan käsittelySyövytetty, LTO, Polyback

Ota yhteyttä

Pyydä tarjous tai tuotetietoja