Terrace Free SOI -kiekot

Okmeticin reunaurattomat Terrace Free SOI -kiekot lisäävät aktiivista aluetta  ja helpottavat kiekkojen jatkoprosessointia. Terrace Free SOI -kyvykyys on valittavissa 200 mm Silicon-On-Insulator BSOI ja E-SOI® -kiekoille, mitkä tarjoavat optimoidun alustan MEMS-, RF- ja tehopuolijohdesovelluksille.  

Okmeticin Terrace Free SOI -kyvykkyys on valittavissa 200 mm Silicon-On-Insulator BSOI ja E-SOI® -kiekkoihin. Reunaurattomat Terrace Free SOI -kiekot valmistetaan optimoidulla versiolla pitkään käytössä olleesta SOI-prosessista, jossa kaksi piikiekkoa liitetään toisiinsa jättäen niiden väliin kerros eristävää oksidia. Tyypillisesti anturielementit ja  puolijohdekomponentit valmistetaan SOI-kiekon aktiivikerrosta eli päälimmäistä kiekkoa hyödyntäen alustakiekon tukiessa rakennetta.

Maksimoitu aktiivialue ja yhteensopivuus jatkoprosessoinnin kanssa

Reunaurattomat Terrace Free SOI -kiekot tarjoavat puolijohdevalmistajille maksimaalisen aktiivialueen ja mahdollistavat suuremman sirumäärän kiekkoa kohden. Tavallisesti SOI-kiekon terassi- tai reuna-alue on ≤ 2 mm, joten Terrace Free SOI -kiekot kasvattavat aktiivialuetta selkeästi, noin neljän prosentin verran. Lisäksi niin kutsuttu Fixed Quality Area (FQA) kasvaa noin kolme prosenttia reuna-alueen pienentyessä 4,5 millimetristä 3,0 millimetriin.  

Reunaurattomat Terrace Free SOI -kiekot lisäävät aktiivista aluetta ja FQA-aluetta selkeästi

Reunaurattomien Terrace Free SOI -kiekkojen reunaviiste muotoillaan puolijohteiden jatkoprosessoinnin kannalta optimaaliseksi. Terrace Free SOI -kiekot voivat esimerkiksi helpottaa kiekkojen käsittelyä tuotantolinjoilla, epitaksiaalikerroksen kasvatusta sekä litografiaprosessia ja siihen kuuluvaa resistin levitystä.

Tyypilliset Terrace Free SOI -kiekkojen spesifikaatiot

KasvatusmenetelmäCz, MCz, A-MCz®
Halkaisija200 mm
Kideorientaatio<100>, <111>, <110>
N-tyypin seosaineetAntimoni, Fosfori
P-tyypin seosaineetBoori
Resistiivisyys<0,001 ja >7000 Ohm-cm välillä*
*Resistiivisyysvalikoima vaihtelee seosaineen ja orientaation mukaan
Aktiivikerroksen paksuus1 μm ja 120 μm välillä
Toleranssi ±0,5 μm (BSOI), ±0,3 μm (0.3 SOI), ±0,1 μm (E-SOI®)
Haudatun oksidikerroksen paksuus0,3 μm ja 4 μm välillä, tyypillisesti 0,5 μm ja 2 μm välillä
Tyyppi: terminen oksidi
Alustakiekon paksuusTällä hetkellä vain 725 μm
Taustapinnan käsittelySyövytetty
Terassi/reunaura-alueReunauraton

Ota yhteyttä

Pyydä tarjousta tai tuotetietoja