
Terrace Free SOI -kiekot
Okmeticin reunaurattomat Terrace Free SOI -kiekot lisäävät aktiivista aluetta ja helpottavat kiekkojen jatkoprosessointia. Terrace Free SOI -kyvykyys on valittavissa 200 mm Silicon-On-Insulator BSOI ja E-SOI® -kiekoille, mitkä tarjoavat optimoidun alustan MEMS-, RF- ja tehopuolijohdesovelluksille.
Okmeticin Terrace Free SOI -kyvykkyys on valittavissa 200 mm Silicon-On-Insulator BSOI ja E-SOI® -kiekkoihin. Reunaurattomat Terrace Free SOI -kiekot valmistetaan optimoidulla versiolla pitkään käytössä olleesta SOI-prosessista, jossa kaksi piikiekkoa liitetään toisiinsa jättäen niiden väliin kerros eristävää oksidia. Tyypillisesti anturielementit ja puolijohdekomponentit valmistetaan SOI-kiekon aktiivikerrosta eli päälimmäistä kiekkoa hyödyntäen alustakiekon tukiessa rakennetta.
Maksimoitu aktiivialue ja yhteensopivuus jatkoprosessoinnin kanssa
Reunaurattomat Terrace Free SOI -kiekot tarjoavat puolijohdevalmistajille maksimaalisen aktiivialueen ja mahdollistavat suuremman sirumäärän kiekkoa kohden. Tavallisesti SOI-kiekon terassi- tai reuna-alue on ≤ 2 mm, joten Terrace Free SOI -kiekot kasvattavat aktiivialuetta selkeästi, noin neljän prosentin verran. Lisäksi niin kutsuttu Fixed Quality Area (FQA) kasvaa noin kolme prosenttia reuna-alueen pienentyessä 4,5 millimetristä 3,0 millimetriin.
Reunaurattomat Terrace Free SOI -kiekot lisäävät aktiivista aluetta ja FQA-aluetta selkeästi
Reunaurattomien Terrace Free SOI -kiekkojen reunaviiste muotoillaan puolijohteiden jatkoprosessoinnin kannalta optimaaliseksi. Terrace Free SOI -kiekot voivat esimerkiksi helpottaa kiekkojen käsittelyä tuotantolinjoilla, epitaksiaalikerroksen kasvatusta sekä litografiaprosessia ja siihen kuuluvaa resistin levitystä.
Tyypilliset Terrace Free SOI -kiekkojen spesifikaatiot
Kasvatusmenetelmä | Cz, MCz, A-MCz® |
Halkaisija | 200 mm |
Kideorientaatio | <100>, <111>, <110> |
N-tyypin seosaineet | Antimoni, Fosfori |
P-tyypin seosaineet | Boori |
Resistiivisyys | <0,001 ja >7000 Ohm-cm välillä* *Resistiivisyysvalikoima vaihtelee seosaineen ja orientaation mukaan |
Aktiivikerroksen paksuus | 1 μm ja 120 μm välillä Toleranssi ±0,5 μm (BSOI), ±0,3 μm (0.3 SOI), ±0,1 μm (E-SOI®) |
Haudatun oksidikerroksen paksuus | 0,3 μm ja 4 μm välillä, tyypillisesti 0,5 μm ja 2 μm välillä Tyyppi: terminen oksidi |
Alustakiekon paksuus | Tällä hetkellä vain 725 μm |
Taustapinnan käsittely | Syövytetty |
Terassi/reunaura-alue | Reunauraton |