无台阶型 SOI 硅片

Okmetic 的无台阶型 SOI 硅片为 SOI 硅片客户提供了更多的可操作区域、易于加工。无台阶型 SOI 的特性适用于200mm的 BSOI、 E-SOI®和电源管理 SOI 硅片,是制造 MEMS、射频滤波器和功率器件的最佳硅基衬底。

Okmetic 无台阶型 SOI 硅片的特性适用于200mm的键合绝缘体上硅 BSOI E-SOI®电源管理 SOI 硅片。在现有 SOI 工艺的基础上,我们优化了无台阶型 SOI 硅片的制造工艺,将两片硅片键合在一起并在其间形成绝缘氧化层。通常来说,半导体器件或传感元件会被构建在上层的器件层上,下层的衬底层则支撑整个结构。

最大化可用面积、增强后续加工的兼容性

无台阶型 SOI 硅片为器件制造商提供了最大化的可用面积,使得每片硅片能够生产出更多芯片。标准的 SOI 台阶(非 SOI 区)小于2毫米,因此无台阶型 SOI 硅片大致可以增加4%的可操作区。此外,由于边缘排除区域从4.5毫米减少到3.0毫米,直接导致质量保证区(FQA)大致增加了3%。  

无台阶型 SOI 硅片显著增加了可操作区域和质量保证区

无台阶型 SOI 硅片边缘被倒角成最佳状态,以增强与后续设备加工的兼容性。譬如无台阶型 SOI 硅片可以促进硅片夹持和处理,同时也有利于外延生长和光刻工艺,包括抗蚀剂涂层。

常规无台阶型 SOI 硅片规格

晶体生长方式Cz, MCz, A-MCz®
硅片直径200 mm
晶向<100>, <111>, <110>
N 型掺杂剂锑、磷
P 型掺杂剂
电阻率从 <0.001到 >7000 欧姆-厘米*
*电阻率范围因掺杂剂和晶向而异
器件层厚度1 微米 到 120微米
公差 ±0.5 微米(标准 BSOI)、±0.3微米(0.3 SOI)、±0.1微米(200毫米 E-SOI®)
埋氧层厚度0.3微米到4微米,通常在0.5微米到2微米之间
类型:热氧化物
衬底层厚度初始厚度为725微米
背面蚀刻
台阶区域无台阶型

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