SOI-kiekkoperhe – Silicon-On-Insulator
Okmeticin laaja bondattu SOI-kiekkoperhe (Silicon On Insulator) tarjoaa optimaalisen alustan edistyneiden MEMS-, anturi-, tehopuolijohde- ja RF-sovellusten valmistukseen. Okmeticin SOI-kiekot tuovat lisää vapautta sovellusmuotoiluun ja mahdollistavat niiden maksimaalisen suorituskyvyn, kustannustehokkuuden ja vaivattoman valmistuksen.
Okmetic oli yksi ensimmäisiä MEMS-teollisuudelle SOI-teknologiaa ja SOI-kiekkoja esitteleviä piikiekkovalmistajia. Nyt yhtiö on massavalmistanut SOI-kiekkoja jo yli 20 vuoden ajan. SOI-kiekot ovat piikiekkoja, joissa on ohut piikalvo eristävän oksidikerroksen päällä, ja niiden tuotanto vaatii erittäin korkeaa teknistä kyvykkyyttä. SOI-kiekot mahdollistavat kaikista edistyneempien MEMS-, tehopuolijohde- ja RF-radiotaajuuskomponenttien valmistuksen. Näitä komponentteja käytetään auto- ja terveysteollisuuden sovelluksissa, älykelloissa- ja rannekkeissa, älypuhelimissa ja tableteissa sekä asioiden ja esineiden Internetiin liittyvissä sovelluksissa, jotka tarvitsevat antureiden tuottamaa dataa laitteiden välisessä kommunikaatiossa.
SOI-kiekot tarjoavat optimaalisen alustan MEMS-, anturi- , tehopuolijohde- ja RF-radiotaajuussovelluksille.
Okmeticin SOI-kiekot valmistetaan bondaustekniikalla. Kaksi piikiekkoa liitetään toisiinsa jättäen niiden väliin kerros eristävää oksidia. Useimmissa sovelluksissa anturielementit ja puolijohdekomponentit valmistetaan SOI-kiekon aktiivikerrokseen. Haudattu oksidikerros eristää erinomaisesti sähköä ja pysäyttää syövytysprosessin tehokkaasti, mutta sitä voidaan käyttää myös uhrattavana kerroksena. Alustakiekko tukee rakennetta, mutta sitä voidaan käyttää myös valmiin rakenteen koteloinnin osana tai osana anturielementtiä tai komponenttia.
Laaja valikoima SOI-kiekkoja (Silicon On Insulator)
Okmeticin valmistaa SOI-kiekkonsa täysin itse. Tämä mahdollistaa kaikkien kriittisten kide- ja kiekkoparametrien tarkan valvonnan ja varmistaa SOI-kiekkojen korkean laadun. Markkinoiden laajin kiekkoportfolio puolestaan mahdollistaa optimaalisen sähkönjohtavuuden ja eri kideorientaatioiden valinnan, jotta piin anisotrooppisia ominaisuuksia voidaan hyödyntää parhaalla tavalla. Myyntimme ja tekninen asiakastukemme auttavat mielellään optimaalisen, tarpeisiisi räätälöidyn ratkaisun löytämisessä.
Okmeticin SOI-kiekkoperhe koostuu seuraavista tuotteista:
- BSOI-kiekot – Bonded SOI (mukaan lukien BSOI-muunnokset 0.3-SOI, DSOI, LSOI ja Thick SOI)
- C-SOI®-kiekot – Cavity SOI (mukaan lukien C-SOI®-muunnokset EC-SOI, Double C-SOI®, C-SOI® kuvioidulla aktiivikerroksella, C-SOI® poly via:n kanssa)
- E-SOI®-kiekot – Enhanced SOI, todella tasainen kerrospaksuus
- Terrace Free SOI -kyvykkyys saatavilla BSOI-, E-SOI®- ja Power Management SOI -kiekoille
- High Resistivity BSOI-kiekot ovat osa RFSi®-kiekkoperhettämme
Tyypilliset SOI-kiekkojen spesifikaatiot
| Kasvatusmenetelmä | Cz, MCz, A-MCz® |
| Halkaisija | 150 mm, 200 mm |
| Kideorientaatio | <100>, <110>, <111> |
| N-tyypin seosaineet | Antimoni, Fosfori |
| P-tyypin seosaineet | Boori |
| Resistiivisyys1 | <0,001 ja >7000 Ohm-cm välillä |
| Aktiivikerroksen paksuus2* | 1 μm ja >200 μm välillä Toleranssi ±0,5 μm (standard BSOI), ±0,3 μm (0.3 SOI), ±0,1 μm (E-SOI®), ±0,5 μm tai alle (C-SOI®) |
| Haudatun oksidikerroksen paksuus3 | 0,3 μm ja 4 μm välillä |
| Alustakiekon paksuus4 | 300 μm ja 950 μm välillä |
| Taustapinnan käsittely | Kiillotettu tai syövytetty |
| Terassi/reunaura-alue | Standardi tai reunauraton (Saatavilla 200 mm BSOI-, E-SOI®- ja Power Management SOI -kiekoille.) |
2Muut paksuudet mahdollisia tietyin rajoituksin. 150 mm E-SOI® toleranssi ±0.2 µm
3Tyyppi: terminen oksidi. Tyypillisesti 0.5 μm – 2 μm. >5 μm BOX mahdolllinen tietyin rajoituksin.
4200 mm: tyypillisesti 500-725 μm, 150 mm: tyypillisesti 380-675 μm. ±3 µm toleranssi vaativille sovelluksille.
*Mahdollisuus myös kahteen aktiivi- ja oksidikerrokseen eri paksuuksilla.
Täysin CMOS-yhteensopivat kiekkojen pinnan laatu- ja puhtausvaatimukset
Okmetic – SOI-kiekkojen teknologiajohtaja
Okmetic on todellinen SOI-kiekkojen edelläkävijä, sillä yhtiö alkoi kehittämään SOI-teknologiaa MEMS-teollisuudelle jo 1990-luvulla ja on massavalmistanut SOI-kiekkoja jo vuodesta 2001 lähtien. MEMS-teollisuus otti SOI-kiekkoteknologian puolijohdeteollisuuksista ensimmäisenä käyttöönsä ja se on edelleen pääasiallinen ajuri SOI-kiekkojen kysynnän kasvulle. Sittemmin SOI-kiekkojen käyttö on laajentunut myös trench-eristystä hyödyntäviin tehonhallintaratkaisuihin kuten korkeajännitteisiin lateraali- ja BCD-sovelluksiin. SOI-kiekkoja käytetään myös RF-teollisuudessa, jonka tarpeisiin Okmetic on kehittänyt High Resistivity BSOI-kiekkonsa.
2023 Reunaurattoman Terrace Free SOI -kyvykkyyden lanseeraus
2021 Okmeticin SOI-kiekot 20 vuotta
2020 EC-SOI, joka yhdistää E-SOI®– ja C-SOI®-kiekkojen hyödyt
2019 Uusi C-SOI®-tuotantolinja
2016 E-SOI®-kiekon lanseeraus
2015 SOI-kiekot tehopuolijohteisiin
2010 SOI-pohjaiset erittäin pienet paineanturit ja älyrannekkeet
2009 C-SOI®-kiekot volyymituotannossa
2008 SOI-pohjaiset piimikrofonit
2006 C-SOI®-pohjaiset inertia-anturit autoteollisuudelle
2005 Ensimmäiset C-SOI®-toimitukset
2001 SOI-kiekkolinjan käynnistäminen
1998 Okmeticin SOI-teknologia kehitetty
