SOI硅片：绝缘体上硅技术
凭借二十多年的专业知识，Okmetic的SOI硅片系列为客户提供全面的产品选择，是制造要求严苛的MEMS、传感器、功率和射频器件的最佳硅基衬底。Okmetic的SOI硅片让设计有了更大的自由度，同时最大化了设备的性能、更节约成本效益且方便制造。
Okmetic是最早将绝缘体上硅技术和SOI硅片引入MEMS行业的硅片供应商之一，目前公司已经量产SOI硅片超过20年。SOI硅片是在绝缘氧化物上有一层薄硅膜的硅片，其生产需要非常高水准的专业技术。SOI硅片有益于制造最先进的MEMS、传感器、功率和射频设备。这些设备器件被用于汽车和医疗保健应用、智能腕带、智能手机和平板电脑等终端。同时，利用传感器提供的数据，器件也能够被用于物联网相关的应用设备，实现设备间的通信。
SOI硅片有益于制造最先进的MEMS、传感器、功率和射频设备
Okmetic的SOI硅片是通过键合技术制造的——将两片硅片键合在一起并在其间留下绝缘氧化层。传感元件和IC器件通常构建在顶层器件层上。中间的埋氧层是极好的电绝缘层，也是有效的刻蚀停止层，同时也可以作为牺牲层。底层起支撑作用，但也可以用于密封结构或作为传感元件或设备的一部分。
SOI硅片系列
Okmetic拥有SOI硅片制造的自主能力，将自主研发成果运用到企业生产中，有能力把控每个关键的硅片参数，确保SOI硅片的最高品质。我们拥有市场上最完整的硅片产品组合，支持客户的各种选择，譬如最佳的导电性和不同的晶向可以确保更好地利用硅的各向异性特性。我们的销售和技术支持很乐意帮助您找到适合您设备和工艺需求的完美硅基解决方案。
Okmetic的SOI硅片产线包含以下产品：
- BSOI硅片：键合SOI 硅片（包含不同的BSOI硅片类别，譬如0.3 SOI、DSOI、LSOI 和厚SOI）
- C-SOI®硅片：埋层腔体型SOI硅片（包含不同的C-SOI®硅片类别，譬如EC-SOI、双层C-SOI®、带图案化器件层的C-SOI®、带多通孔的C-SOI®）
- E-SOI®硅片：具有严格厚度均匀性的增强型SOI
- 无台阶型BSOI和E-SOI®硅片
- 高阻BSOI硅片是我们RFSi®硅片系列的其中一种
- 电源管理SOI硅片（功率器件用硅片系列）
常规SOI硅片的规格
| 晶体生长方式 | Cz, MCz, A-MCz® |
| 硅片直径 | 200 mm, 150 mm |
| 晶向 | <100>,<110>,<111> |
| N型掺杂剂 | 锑、磷 |
| P型掺杂剂 | 硼 |
| 电阻率 | 从 <0.001到 >7000 欧姆-厘米* *电阻率范围因掺杂剂和晶向而异 |
| 器件层厚度 | 1 微米 到 >200微米 公差 ±0.5微米（标准 BSOI）、±0.3微米（0.3 SOI）、±0.1微米（E-SOI®）、±0.5微米或更低（C-SOI®） |
| 埋氧层厚度 | 0.3微米到4微米，通常在0.5微米到2微米之间 类型：热氧化物 |
| 衬底层厚度 | 300微米到950微米，200 mm硅片的衬底层厚度通常为725微米，150 mm硅片的衬底层厚度通常为380微米 |
| 背面 | 抛光或刻蚀 |
| 台阶区域 | 标准或无台阶型（适用于200 mm的BSOI和E-SOI®硅片） |
Okmetic是SOI硅片的技术领导者
二十世纪九十年代以来，Okmetic就开始为MEMS行业开发SOI技术，并从2001年开始了SOI硅片的量产，是硅片行业真正的先行者。MEMS是第一个采用全新的绝缘体上硅晶圆技术的行业，它也持续成为SOI硅片需求主要的增长动力。多年来，SOI硅片还扩展到使用沟槽隔离技术的功率管理解决方案，譬如高压BCD和横向HV器件。SOI硅片也多用于射频滤波器领域，Okmetic为此还设计了高阻BSOI硅片。
2023 推出无台阶型SOI硅片
2021 Okmetic生产SOI硅片20周年纪念
2020 EC-SOI硅片结合了E-SOI®和C-SOI®的优势
2019 新建C-SOI®硅片产线
2016 推出E-SOI®硅片
2015 用于功率管理的SOI硅片
2010 基于SOI硅片的超小型压力传感器和可穿戴电子产品
2009 C-SOI®硅片量产
2008 基于SOI硅片的硅基麦克风
2006 基于C-SOI®硅片的汽车惯性传感器
2005 第一批C-SOI®硅片交付
2001 SOI硅片生产线启动
1998 Okmetic创立SOI技术部
