SOI 硅片：绝缘体上硅技术
凭借二十多年的专业知识，Okmetic 的 SOI 硅片系列为客户提供全面的产品选择，是制造要求严苛的 MEMS、传感器、功率和射频器件的最佳硅基衬底。Okmetic 的 SOI 硅片在设计上给与更大的自由度、最大化设备的性能、更节约成本效益且方便制造。
Okmetic 是最早将绝缘体上硅技术和 SOI 硅片引入 MEMS 行业的硅片供应商之一，目前公司已经量产 SOI 硅片超过20年。SOI 硅片是在绝缘氧化物上有一层薄硅膜的硅片，其生产需要非常高水准的专业技术。SOI 硅片有益于制造最先进的 MEMS、传感器、功率和射频设备。这些设备器件被用于汽车和医疗保健应用、智能腕带、智能手机和平板电脑等终端。同时，利用传感器提供的数据，器件也能够被用于物联网相关的应用设备，实现设备间的通信。
SOI 硅片有益于制造最先进的 MEMS、传感器、功率和射频设备。
Okmetic 的 SOI 硅片是通过键合技术制造的——将两片硅片键合在一起并在其间留下绝缘氧化层。传感元件和 IC 器件通常构建在顶层器件层上。中间的埋氧层是极好的电绝缘层，也是有效的刻蚀停止层，同时也可以作为牺牲层。底层起支撑作用，但也可以用于密封结构或作为传感元件或设备的一部分。
SOI 硅片全系列
Okmetic 拥有 SOI 硅片制造的自主可控能力，将自主研发成果运用到企业生产中，有能力把控每个关键的硅片参数，确保 SOI 硅片的最高品质。我们拥有市场上最完整的硅片产品组合，支持客户的各种选择，譬如最佳的导电性和不同的晶体转向可以确保更好地利用硅的各向异性特性。我们的销售和技术支持很乐意帮助您找到适合您设备和工艺需求的完美硅基解决方案。
Okmetic 的 SOI 硅片产线包含以下产品：
- BSOI 硅片：键合 SOI 硅片（包含不同的 BSOI 硅片类别，譬如 0.3 SOI、DSOI、LSOI 和厚 SOI）
- C-SOI®硅片：埋层腔体型 SOI 硅片（包含不同的 C-SOI®硅片类别，譬如 EC-SOI、双层 C-SOI®、带图案化器件层的 C-SOI®、带多通孔的 C-SOI®）
- E-SOI®硅片：具有严格厚度均匀性的增强型 SOI
- 无台阶型 BSOI 和 E-SOI®硅片
- 高阻 BSOI 硅片是我们 RFSi®硅片系列的其中一种
- 电源管理 SOI 硅片（功率器件用硅片系列）
常规 SOI 硅片的规格
| 晶体生长方式 | Cz, MCz, A-MCz® |
| 硅片直径 | 150 mm, 200 mm |
| 晶向 | <100>, <110>,<111> |
| N型掺杂剂 | 锑、磷 |
| P型掺杂剂 | 硼 |
| 电阻率 | 从 <0.001到 >7000 欧姆-厘米* *电阻率范围因掺杂剂和晶向而异 |
| 器件层厚度 | 1 微米 到 > 200微米 公差 ±0.5微米（标准 BSOI）、±0.3微米（0.3 SOI）、±0.1微米（E-SOI®）、±0.5微米或更低（C-SOI®） |
| 埋氧层厚度 | 0.3微米到4微米，通常在0.5微米到2微米之间 类型：热氧化物 |
| 衬底层厚度 | 300微米到950微米，200毫米硅片的衬底层厚度通常为725微米，150毫米硅片的衬底层厚度通常为380微米 |
| 背面 | 抛光或刻蚀 |
| 台阶区域 | 标准或无台阶型（适用于200毫米的 BSOI 和 E-SOI®硅片） |
Okmetic 是 SOI 硅片的技术领导者
二十世纪九十年代以来，Okmetic 就开始为 MEMS 行业开发 SOI 技术，并从2001年开始了 SOI 硅片的量产，是硅片行业真正的先行者。MEMS 是第一个采用全新的绝缘体上硅晶圆技术的行业，它也持续成为 SOI 硅片需求主要的增长动力。多年来，SOI 硅片还扩展到使用沟槽隔离技术的功率管理解决方案，譬如高压 BCD 和横向 HV 器件。SOI 硅片也多用于射频滤波器领域，Okmetic 为此还设计了高阻 BSOI 硅片。
2023 推出无台阶型 SOI 硅片
2021 Okmetic 生产 SOI 硅片20周年纪念
2020 EC-SOI 硅片结合了E-SOI® 和 C-SOI®的优势
2019 新建 C-SOI®硅片产线
2016 推出 E-SOI®硅片
2015 用于功率管理的 SOI 硅片
2010 基于 SOI 硅片的超小型压力传感器和可穿戴电子产品
2009 C-SOI®硅片量产
2008 基于 SOI 硅片的硅基麦克风
2006 基于 C-SOI®硅片的汽车惯性传感器
2005 第一批 C-SOI®硅片交付
2001 SOI 硅片生产线启动
1998 Okmetic 创立 SOI 技术部
