RFSi®硅片：射频滤波器的高阻片
Okmetic的RFSi®高阻片系列是制造射频滤波器和设备的最佳平台。我们的RFSi®高阻片提高了射频设备的性能并降低了使用成本，能够实现更复杂的设计。
Okmetic是射频滤波器市场上先进的硅基衬底供应商，多年来公司一直专注于射频滤波器硅晶圆的解决方案。Okmetic已为射频市场交付了超过300万片晶圆。Okmetic的RFSi®高阻片是体声波（BAW）滤波器、薄膜声表面波（TF-SAW）滤波器、IPD器件、功率放大器、射频集成电路（RFIC）应用以及硅中介层等的最佳平台。这些滤波器和器件被应用于智能手机和通信设备中，以实现由5G和4G技术驱动的更快数据传输和更大容量。
RFSi®硅片为智能手机和通信设备中使用的射频滤波器和器件提供了理想的平台，从而实现更快的数据传输。
Okmetic的RFSi®产品系列提供了一系列特种硅片，将高达10000欧姆-厘米以上的体电阻率与先进的表面工程技术相结合。这些晶圆的长晶方法是Okmetic的专利先进磁拉法（A-MCz®），其制备方法包括富陷阱层和先进的平面化技术。Okmetic的RFSi®高阻片拥有非常高且稳定的电阻率，可实现卓越的射频滤波器和器件性能，降低总体拥有成本，并支持更具挑战性的器件设计。
丰富的RFSi®高阻片产品线
Okmetic拥有丰富的RFSi®高阻片产品组合，其中包括体电阻率高达10000欧姆-厘米以上的特种硅片。电阻率、晶向、含氧量和厚度等均可根据您的产品或封装需求进行定制。Okmetic为客户提供从380到1150微米的硅片厚度选择。我们的射频滤波器客户发现，在封装设计中，较薄的硅片选项极具吸引力；而在像氮化镓外延层这类混合金属晶格中，较厚的硅片能更好地消减极端应力。我们的销售和技术支持团队很乐意协助您找到最优解决方案，并根据您的需求进行定制。
Okmetic的RFSi®高阻片包含以下产品：
白皮书
常规RFSi®硅片的规格：
| 晶体生长方式 | MCz, A-MCz® |
| 硅片直径 | 200 mm, 150 mm |
| 晶向 | <100>, <111> |
| N型掺杂剂 | 磷 |
| P型掺杂剂 | 硼 |
| 电阻率 | 高达 >10000 欧姆-厘米* *电阻率范围因掺杂剂和晶向而异 |
| 氧含量 | 一般 ≤5ppma 或 ≤10ppma（ASTM F121-83），可根据客户工艺进行优化 |
| 单抛片（背面蚀刻）厚度 | 150 mm 硅片：400至1150微米；200 mm硅片：550微米到1150微米* *某些条件下可实现其他厚度 |
| 双抛片（抛光背面）厚度 | 150 mm硅片：380至 >1150微米；200 mm硅片：380微米到1150微米* *某些条件下可实现其他厚度 |
RFSi®硅片的优点
- 插入损耗小且可被记录；
- 高Q值；
- 二次谐波特性随工作温度变化呈线性变化；
- 使用超平高阻硅片（UF-RFSi®）的薄膜声表面波滤波器（TF-SAW）可拥有更多新颖的设计选择；
- 采用高阻片特性结合到腔体SOI硅片，实现悬空的低损耗结构。
A-MCz®晶体生长方式对比区熔法
- 相比区熔法制备的高阻晶棒，A-MCz®的长晶方式更具成本优势，特别是制备200 mm的单晶硅棒；
- 晶向可使用 <111>；
- 优化了氧含量范围以增加客户工艺中的硅片强度，不易滑落或破损；
- 通过构建富陷阱层，Okmetic的工程A-MCz®硅片能够更好地满足客户的特定工艺/产品。
