功率器件

硅片对设备性能、使用成本和上市时间都有很大影响。这就是为什么设备制造商格外关注衬底的原因,同时人们对设备和衬底的工艺优化需求也在不断增加。

为设备和工艺需求寻到最佳的硅基衬底并不容易。为了方便搜索,我们在下方为您简要地划分了功率器件的应用,并给出了对应的硅基衬底选项。我们的销售和技术支持很乐意帮助您找到适合您设备和工艺需求的完美硅基解决方案。

功率 MOSFET

Okmetic 拥有一系列针对高性能功率半导体需求的单抛(SSP)、双抛(DSP)和 SOI 硅片产品。我们的掺磷硅片具有超低电阻率,尤其可以降低低压功率 MOSFET 的导通电阻和功率损耗。电源管理 SOI 硅片可定制无台阶型 SOI 硅片

IGBT 器件

电源管理 SOI 硅片适用于需要沟槽介质隔离的高压应用(如 IGBT 器件),并可以定制无台阶型 SOI 硅片

智能电源 / BCD 设备

Okmetic 拥有一系列针对高性能功率半导体需求的单抛(SSP)、双抛(DSP)和 SOI 硅片产品电源管理 SOI 硅片适用于需要沟槽介质隔离的高压应用。这些应用包含智能电源 / BCD 等嵌入式技术。此外,Okmetic 的电源管理 SOI 硅片也是要求严苛的应用(如 BCD 设备)的理想衬底,这种硅片的器件层厚且高度均匀,可提高设计的自由度、提高性能和精度并缩小裸片的尺寸。电源管理 SOI 硅片可以定制无台阶型 SOI硅片

横向高压器件

Okmetic 拥有一系列针对高性能功率半导体需求的单抛(SSP)、双抛(DSP)和 SOI 硅片产品。我们的电源管理 SOI 硅片尤其适用于需要沟槽介质隔离的高压应用(如横向高压器件)。BSOI 和 E-SOI®都可以定制无台阶型 SOI硅片

CMOS 器件

Okmetic 优化了中等电阻率的单抛(SSP)、双抛(DSP)和 SOI 硅片产品,充分满足 CMOS 等高性能功率半导体器件的需求。电源管理 SOI 硅片可以定制无台阶型 SOI 硅片

BiCMOS 和双极型工艺

Okmetic 优化了中等电阻率的单抛(SSP)、双抛(DSP)和 SOI 硅片产品,充分满足 BiCMOS 和双极型高性能功率半导体器件的工艺需求。电源管理 SOI 硅片可以定制无台阶型 SOI硅片

肖特基和功率二极管、双极晶体管、整流器和晶闸管

Okmetic 的低电阻率硅片被广泛应用于肖特基和功率二极管、双极晶体管、整流器和晶闸管。

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