功率氮化镓衬底硅片（硅和SOI上） 

Okmetic一直都处于衬底硅片材料开发的前沿，以满足严苛的功率氮化镓外延工艺的需求。各种硅片设计的特性决定了硅片衬底在氮化镓外延工艺中的表现。Okmetic拥有丰富的专业知识，能够设计出满足客户需求的硅基衬底，不仅能够满足严苛的氮化镓外延工艺条件也能够减少硅片的翘曲或弯曲。 

除了针对功率氮化镓应用需求而优化的单抛片、双抛片和SOI硅片外，Okmetic还提供高阻射频氮化镓衬底硅片。

经过优化的硅基衬底可承受氮化镓工艺的极端应力 

Okmetic的功率氮化镓衬底硅片（单抛片和双抛片）旨在承受氮化镓外延工艺的极端应力，并减少硅片的弯曲或翘曲。我们标志性的先进磁拉长晶法A-MCz®是为功率氮化镓衬底赋能的重要原因之一。这种工艺使功率氮化镓衬底硅片具有超高掺杂浓度且受控的氧含量，从而保证其晶格的完整性。通过严格的晶向控制，Okmetic得以优化硅片的应力管理能力。  

具有最佳性能的耐用硅片 

• 旨在承受氮化镓外延工艺的极端应力并减少其功率损耗  
• 低电阻、高掺杂且优化的氧含量，提高了晶格的完整性和耐用性  
• 针对不同需求的定制化解决方案 

完全根据您的工艺需求进行定制 

用于硅上氮化镓应用的功率氮化镓衬底硅片（单抛片和双抛片）可针对超过650V的横向氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）器件和高功率LED进行定制。相比碳化硅上氮化镓衬底，其功能强大且更具成本效益。  

Okmetic的功率氮化镓衬底硅片可完全根据您的设备和工艺需求进行定制。衬底硅片具有严格的晶向控制，可选<111>或偏向。硅片厚度范围从标准厚度到超厚1150微米，可减少硅片的弯曲或翘曲，并提高硅片的耐用性。背面处理的选项包括Poly和LTO背封层结构，进一步提高其应力管理能力。  

硅和碳化硅 

相比现有的碳化硅上氮化镓衬底，使用硅作为氮化镓衬底的高压功率器件更具成本效益。正因如此，硅作为氮化镓衬底的受欢迎程度正在逐步提高。除了成本效益之外，硅基衬底的主要优势是其尺寸，它可以制作成200 mm的晶圆。 

SOI硅基衬底是氮化镓器件单片集成的新兴解决方案 

SOI硅片已成为氮化镓器件单片集成的有效方案。它非常适合低应力的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）、集成直接驱动/共源共栅的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）和全氮化镓的单片集成。  

在与IMEC的合作项目中，IMEC成功地在Okmetic硅片上生长了4.4µm的氮化镓外延堆栈，经过氮化镓优化的SOI硅片在生长后研究中表现出卓越的氮化镓层均匀性、晶圆弯曲减少以及增强的电气性能。点击这里了解本次合作的更多细节和成果。此前，根据X射线衍射，在键合SOI硅片上生长的氮化镓层比在标准硅片衬底上生长的层表现出更低的应力和更高的晶体质量。点击这里了解更多研究成果。

埋氧层和沟槽隔离的结合实现了单片集成，从而减小了芯片尺寸，并在氮化镓器件附近实现了栅极驱动器的集成。后者提高了功率效率，减少了振动；同时由于栅极电压在噪声和过充/下冲中减少了，E型氮化镓驱动器设计的电压预算增加了。

Okmetic的氮化镓SOI硅基衬底可实现完全定制。SOI硅片将低至<0.001欧姆-厘米的电阻率和受控的氧含量相结合，从而实现出色的晶格完整性。具有严格晶向控制的正向<111>可提高硅片的耐用性，但使用偏向的硅片同样可以获得良好的效果。器件层、衬底层和埋氧层都可以实现完全定制。衬底层的厚度可调节至950微米，以减少硅片的弯曲、提高其耐用性。埋氧层厚度也可在0.5至4微米之间定制。Okmetic还可以为客户提供无台阶型氮化镓SOI硅基衬底，最佳的边缘形状助力客户最大限度地使用硅片面积。

用于硅上氮化镓应用的功率氮化镓衬底硅片常用规格 

用于绝缘体上氮化镓应用的功率氮化镓衬底硅片常用规格