高阻 BSOI 片

Okmetic 的高阻 BSOI 片具有悬浮式低损耗结构,专为满足在高频毫米波段工作的设备的严苛需求而设计。

从长晶、切片到图案化SOI 技术,Okmetic 都有整套自主工艺,这使我们有能力结合技术为客户提供新型的高附加值硅片解决方案,以满足毫米波段设备的严苛需求。Okmetic 的高阻 BSOI 片具有悬浮式低损耗结构,结合新的方法诸如线过滤机,可制备防结块剂溶液,这是一种前景光明的新技术。低损耗的器件层材料也可以与交钥匙的腔体 SOI 结构(C-SOI®)相结合,作为新型 BAW 谐振器或 IPD 设备的衬底。集成传感器和通信芯片的简化结构还可以用于带状线平台。

Okmetic 的专业知识、技术融合的能力为毫米波段设备带来了附加价值,我们的新型硅片解决方案能够满足该类型设备的严苛要求。

将高且稳定的电阻率结合到均匀的器件层(厚度目标灵活)

不管有无空腔结构,Okmetic 的高阻 BSOI 硅片使用先进的磁性直拉法(A-MCz®)进行长晶工艺,这实现了低氧含量、超过7000欧姆-厘米的高电阻。SOI 结构是通过将两片硅片键合在一起并在其间留下绝缘埋氧层的方式制成的。毫米波段设备通常构建在充当器件层的上层硅片上。中间的埋氧层是出色的电绝缘层,它也形成了器件制备中的有效蚀刻层。在制造更复杂的设备的时候,它还可以充当牺牲层。下层的硅片支撑了整个结构,但也可以用于密封结构。详细了解 BSOI 硅片腔体 SOI 硅片

高阻 BSOI 片规格

晶体生长方式MCz, A-MCz®
硅片直径150 mm, 200 mm
晶向<100>, <111>
N 型掺杂剂
P 型掺杂剂
电阻率高达7000欧姆-厘米*,工程超高阻片可达到10000欧姆-厘米的电阻率
*电阻率范围因掺杂剂和晶向而异
氧含量一般 ≤5ppma 或 ≤10ppma(ASTM F121-83),可根据客户工艺进行优化
器件层厚度1微米至200微米
埋氧层厚度0.3微米至4微米,通常在0.5至2微米之间
类型:热氧化物
衬底层厚度300微米至950微米,200毫米晶圆的衬底层厚度通常为725微米,150毫米晶圆的衬底层厚度通常为380微米
背面抛光、蚀刻

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