工程超高阻片

Okmetic的工程超高阻片是具有最高性能的优质硅基衬底，针对要求苛刻的射频滤波器和设备需求进行了优化。工程超高阻片拥有超过10000欧姆-厘米的体电阻率、低氧含量和高效的富陷阱结构。  

这种最先进的硅片技术利用Okmetic专有的先进磁性直拉（A-MCz®）长晶工艺，衬底引起的损耗接近于零，并以射频设备非线性的效应提供最高电阻率和最佳的技术性能。

针对严苛的射频滤波器需求进行了优化

工程超高阻片针对要求严苛的射频滤波器需求进行了优化，旨在促进射频设备的设计和建模。工程超高阻片具有最高的有效电阻率、衬底引起的损耗接近于零和非线性效应、出色的二次谐波和模块间失真值（IMD）。工程超高阻片使得射频滤波器能够达到小于-90dBm 的极低二次谐波水平（在900MHz的基音下测得）和极低的IMD3水平，甚至低于-105dBm。

超高阻片的另一大优势是其氧含量得到了优化。这提高了硅片的强度，相比超高电阻区熔（FZ）硅片它是一种更好的选择。

最佳性能且近乎于零的损耗

• 在BAW滤波器制造中观察到的优异结果；
• 工程超高阻片（带有富陷阱结构）使射频滤波器能够在15dBm的基本输入功率下达到低于-90dBm的极低二次谐波水平。相比没有钝化的超高阻片来说，这种特性抑制了50dB；和工程高阻片（5000欧姆-厘米，带TR）相比，则多出了6dB。 

使用不同RFSi®硅片的二次谐波频率

• 带富陷阱结构的工程超高阻片使射频滤波器能够达到极低的IMD3水平（845MHz 频率），甚至于小于-105dBm 的功率（在20dBm的输入功率下测量）。使用Incize 2毫米长的50Ω CPW（光学表征）测量。

工程超高阻片具有极低的IMD3水平（三阶互调失真）

• 我们可以为客户定制富陷阱结构以匹配特定的工艺，最大限度地控制谐波形态和整体损失；
• 无需植入复杂的结构，即对其供应链无影响。设计的富陷阱层是纯硅基的，因此不涉及其他外来的材料，能够完美贴合客户生产线的需求。

工程超高阻片解决方案

Okmetic的工程超高阻片经过优化，是具有低氧含量、大于10000欧姆-厘米的电阻率和高效的富陷阱结构的A-MCz®的硅片。这种极高的电阻率是通过先进的磁性直拉法（A-MCz®）实现的，Okmetic注册了A-MCz®该商标。工程超高阻片的选择包括8英寸、掺硼的单抛片（SSP）和双抛片（DSP）。厚度范围从550微米到>1150微米。<100>晶向的硅片可批量供应，<111>晶向的硅片可制备样品。这些硅片包括UF-RFSi®（带富陷阱层的超平高阻片）和用于射频滤波器的硅上氮化镓应用硅片（无富陷阱层）。

工程超高阻片规格

多种工程超高阻片种类，满足不同特殊需求

无富陷阱层的超高阻片

具有低氧含量、>10000欧姆-厘米电阻率，但没有富陷阱层的超高阻片。使用此种硅片，设备制造商可以自主进行钝化或植入工艺。

带超平几何形状的工程超高阻片

这种硅片结合了>10000欧姆-厘米的超高电阻率和UF-RFSi®硅片的超平几何形状。该硅片的TTV非常低（低于 700nm），且具有非圆形对称变形。目前这种硅片类型仅能提供样品。

用于硅上氮化镓应用的超高阻射频硅基氮化镓

这是用于硅上氮化镓应用的氮化镓射频硅片的超高阻版本。此类硅片结合了>10000欧姆-厘米的电阻率，优化了氧含量水平和其他硅片参数，减少了硅片的弯曲和翘曲。目前这种硅片类型仅能提供样品。

超高阻BSOI硅片

这是BSOI硅片的超高阻版本。此类硅片将>10000欧姆-厘米的电阻率和优化的氧含量水平结合到SOI硅片的分层结构中。目前这种硅片类型仅能提供样品。