UF-RFSi®硅片：超平高阻片
Okmetic 的 UF-RFSi®硅片是一种工程高阻片，具有超平的特性，专门针对 TF-SAW 滤波器的需求进行了优化。UF-RFSi®硅片结合了极低的 TTV 和低氧含量，电阻率高达 7000 欧姆-厘米，还可以选择带富陷阱结构的产品。
UF-RFSi®是专用于薄膜表面声波（TF-SAW）混合结构的工程高阻片。作为业界首款具有超平几何形状的高阻片，UF-RFSi®利用 Okmetic 专有的先进磁性直拉（A-MCz®）长晶技术，提升了高电阻率的技术性能，为超低损耗的射频（RF）提供更好的规格。超平高阻片能够让客户实现最具挑战性的有源层几何形状。此外，这种硅基解决方案在设计上非常灵活，为要求严苛的滤波器和射频技术提供很好的性能且兼具成本效益。
超平高阻片改善了射频器件的性能，让最具挑战性的有源层几何形状的制造更具成本效益。
针对 TF-SAW 滤波器进行了优化
UF-RFSi®硅片是 TF-SAW 滤波器的最佳衬底，与竞品相比，除了稳定的电阻率、低插入损耗和卓越的线性性能之外，它还具有更高效的器件层平面化特性。超平高阻片具有低于 700nm 的总厚度变化（TTV）和非常低的非圆形对称变化，这使得器件层的平面化更高效，并且在键合和回磨过程中所需的修正步骤更少。这显著减少了客户端的投资。
UF-RFSi®硅片具有低于 700nm 的 TTV，避免了进一步修整的需要。
在晶体和平面方向以及工程富陷阱层（可选）方面，超平硅片可以实现完整的可定制硅片加工工艺，这有助于最大限度地控制谐波状态和整体耗损。量身定制的解决方案优化了产品，以满足我们客户特定的产品、工艺和技术需求。
UF-RFSi®硅片规格
| 长晶方式 | MCz, A-MCz® |
| 直径 | 150 mm, 200 mm |
| 晶向 | <100>, <111> |
| N 型掺杂剂 | 磷 |
| P 型掺杂剂 | 硼 |
| 电阻率 | 高达7000欧姆-厘米*，工程超高阻片可达到10000欧姆-厘米的电阻率 *电阻率范围因掺杂剂和晶向而异 |
| 氧含量 | 一般 ≤ 5ppma 或 5 – 10ppma（ASTM F121-83），可根据客户工艺进行优化。 |
| SSP 硅片厚度 | 150毫米硅片的厚度为400 – 1150微米；200毫米硅片的厚度为550 – 1150微米* *某些条件下可实现其他厚度 |
| DSP 硅片厚度 | 150毫米硅片的厚度为380 至 >1150微米；200毫米硅片的厚度为380至 >1150微米* *某些条件下可实现其他厚度 |
| TTV | 低于 700nm |
| 富陷阱层（可选） | 纯硅基，无其他材料 |
| 背面 | SSP 蚀刻，DSP 抛光 |
UF-RFSi®代表了高性能、设计上的自由度和更少的成本投入
- 高电阻率结合了非常低的 TTV（低于 700nm）和非圆形对称变化；
- 通过更好的平面化效率简化混合结构的制造；
- 通过更高效的平面化、稳定的电阻率、低插入损耗和卓越的线性性能，实现并改进射频性能；
- 硅片上层器件层可选用高效的纯硅基富陷阱层，大幅度提高谐波状态并降低整体损耗；
- UF-RFSi®硅片可根据客户的设计进行定制，从而实现优化配置、形成新的波段模式，用于制备薄膜 SAW 设备。
