UF-RFSi®硅片:超平高阻片

Okmetic 的 UF-RFSi®硅片是一种工程高阻片,具有超平的特性,专门针对 TF-SAW 滤波器的需求进行了优化。UF-RFSi®硅片结合了极低的 TTV 和低氧含量,电阻率高达 7000 欧姆-厘米,还可以选择带富陷阱结构的产品。

UF-RFSi®是专用于薄膜表面声波(TF-SAW)混合结构的工程高阻片。作为业界首款具有超平几何形状的高阻片,UF-RFSi®利用 Okmetic 专有的先进磁性直拉(A-MCz®)长晶技术,提升了高电阻率的技术性能,为超低损耗的射频(RF)提供更好的规格。超平高阻片能够让客户实现最具挑战性的有源层几何形状。此外,这种硅基解决方案在设计上非常灵活,为要求严苛的滤波器和射频技术提供很好的性能且兼具成本效益。

超平高阻片改善了射频器件的性能,让最具挑战性的有源层几何形状的制造更具成本效益。

针对 TF-SAW 滤波器进行了优化

UF-RFSi®硅片是 TF-SAW 滤波器的最佳衬底,与竞品相比,除了稳定的电阻率、低插入损耗和卓越的线性性能之外,它还具有更高效的器件层平面化特性。超平高阻片具有低于 700nm 的总厚度变化(TTV)和非常低的非圆形对称变化,这使得器件层的平面化更高效,并且在键合和回磨过程中所需的修正步骤更少。这显著减少了客户端的投资。

UF-RFSi®硅片具有低于 700nm 的 TTV,避免了进一步修整的需要。

在晶体和平面方向以及工程富陷阱层(可选)方面,超平硅片可以实现完整的可定制硅片加工工艺,这有助于最大限度地控制谐波状态和整体耗损。量身定制的解决方案优化了产品,以满足我们客户特定的产品、工艺和技术需求。   

UF-RFSi®硅片规格

长晶方式MCz, A-MCz®
直径150 mm, 200 mm
晶向<100>, <111>
N 型掺杂剂
P 型掺杂剂
电阻率高达7000欧姆-厘米*,工程超高阻片可达到10000欧姆-厘米的电阻率
*电阻率范围因掺杂剂和晶向而异
氧含量一般 ≤ 5ppma 或 5 – 10ppma(ASTM F121-83),可根据客户工艺进行优化。
SSP 硅片厚度150毫米硅片的厚度为400 – 1150微米;200毫米硅片的厚度为550 – 1150微米*
*某些条件下可实现其他厚度
DSP 硅片厚度150毫米硅片的厚度为380 至 >1150微米;200毫米硅片的厚度为380至 >1150微米*
*某些条件下可实现其他厚度
TTV低于 700nm
富陷阱层(可选)纯硅基,无其他材料
背面SSP 蚀刻,DSP 抛光

UF-RFSi®代表了高性能、设计上的自由度和更少的成本投入

  • 高电阻率结合了非常低的 TTV(低于 700nm)和非圆形对称变化;
  • 通过更好的平面化效率简化混合结构的制造;
  • 通过更高效的平面化、稳定的电阻率、低插入损耗和卓越的线性性能,实现并改进射频性能;
  • 硅片上层器件层可选用高效的纯硅基富陷阱层,大幅度提高谐波状态并降低整体损耗;
  • UF-RFSi®硅片可根据客户的设计进行定制,从而实现优化配置、形成新的波段模式,用于制备薄膜 SAW 设备。

联系我们

咨询报价或产品详情