功率器件用硅片系列

数十年来，Okmetic一直为功率器件供应硅片产品。自1990年以来，我们的产品组合中就一直有针对功率分立器件的硅片，并于2010年首次推出功率氮化镓（GaN）衬底硅片和电源管理 SOI 硅片。在与客户的合作中，我们不间断地开发功率硅片产品的性能。Okmetic的功率硅片有利于不同功率器件的制造，譬如可再生能源、电动汽车、便携式消费产品以及与电源管理和效率提高相关的解决方案。

经过优化的 Okmetic 功率硅片主要采用我们标志性的先进磁拉（A-MCz®）晶体生长方法制造，搭配上丰富的硅片参数选择，可以确保为客户提供定制化的高附加值硅片解决方案，同时降低功率损耗。

功率器件用硅片产线升级

Okmetic的功率器件用硅片系列由体电阻率低至<0.001欧姆-厘米的特种晶圆组成。不同的晶圆类型包括150至200毫米的单抛片、双抛片和SOI硅片。根据您的设备或工艺的需求，我们可以为您定制硅片的电阻率、晶向、氧含量和硅片厚度。Okmetic提供380至1150微米的多种晶圆厚度。在氮化镓外延层等混合金属晶格中，较厚的晶圆可以承载外延工艺的极端应力。我们的销售和技术支持人员将很乐意帮助您找到符合您需求的最佳解决方案。

Okmetic的功率器件用硅片系列包括：

• 电源管理 SOI 硅片（键合 SOI）
• 功率 GaN 衬底硅片（Si 和 SOI 上）
• 功率分立器件硅片

先进磁拉法（A-MCz®）和区熔法（FZ）比较

1. 200毫米硅片的可用性比区熔硅片更好
2. <111>晶向选择
3. 优化氧含量范围，提高客户工艺中的硅片强度，不易打滑或破损

功率半导体用的单抛片和双抛片的常用规格

功率半导体用的 SOI 硅片的常用规格