单抛片:单面抛光

Okmetic的单面抛光片(SSP)是表面MEMS、封盖和射频、功率器件的理想衬底。我们拥有自主的长晶技术和多样的硅片材料选择,可为客户定制单抛片解决方案。

晶体生长技术是Okmetic的关键技术之一,为自主和分包的定制单抛片解决方案奠定了重要基础。我们的目标是为客户提供全面的晶体材料,以及满足不同技术需求的硅片产品。

各种晶体和硅片材料助力不同技术需求的定制解决方案。

我们的RFSi®高阻片产线包括射频滤波器的单抛片、功率半导体的中低阻单抛片(满足不同功率器件的需求)。在此页面我们主要为您介绍满足表面MEMS和封盖需求的普通电阻率单抛片。许多MEMS器件(例如压力传感器、加速度计和陀螺仪)通常都会使用单抛片或双抛片作为其硅基衬底,不过出于成本效益的考虑,长期以来SOI硅片的需求一直在增加。

单抛(SSP)无与伦比的能力

Okmetic的单抛片(SSP)和客户的工艺受益于我们自主的长晶技术。我们对洁净度和质量有着极高的要求,因此Okmetic的150至200毫米的单面抛光片(SSP)能够兼容最严苛的工艺生产线。此外,我们的SSP硅片具有出色的厚度和平整度。因为某些特种器件或应用设备需要非常薄/厚的单抛片作为硅基衬底,Okmetic还提供非标准厚度的SSP硅片。譬如厚硅片适用于氮化镓(GaN)外延沉淀。

Okmetic有多种150至200毫米的SSP硅片可供选择:硅片掺杂剂包括锑、砷、磷和硼。晶向选择为<100>、<110>、<111>或偏向,厚度范围从400至1150微米,电阻率范围从<0.001至>7,000欧姆-厘米。背面处理方式为蚀刻、Polyback或LTO背封层结构。

单抛片规格

长晶方式Cz, MCz, A-MCz®
直径150 mm, 200 mm
晶向<100>, <110>,<111>或偏向
N型掺杂剂锑、砷、磷
P型掺杂剂
电阻率从<0.001至>7,000欧姆-厘米*,工程超高阻片可达到10000欧姆-厘米的电阻率
*电阻率范围因掺杂剂和晶向而异
厚度150毫米硅片的厚度为400–1150微米;200毫米硅片的厚度为550–1150微米
背面蚀刻、Polyback 、LTO背封层结构

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