两份新白皮书：用于射频器件的工程硅晶圆和用于氮化镓生长的硅/SOI衬底

今天我们很高兴发布两份全新的关于下一代射频和功率器件工程化衬底解决方案的白皮书。欢迎下载白皮书，了解我们的衬底如何满足当今射频和氮化镓技术的性能和可靠性需求。

从4G LTE到5G和6G：用于高性能射频器件的RFSi®工程硅片

随着无线技术从4G LTE向5G和6G演进，射频滤波器和器件面临着越来越高的带宽、更好的线性度和更强的隔离度要求。本白皮书阐述了如何利用富含陷阱层的工程化高阻片来应对寄生表面电导率和严格的表面均匀性要求等挑战。这些硅片可提高声学滤波器（TF-SAW、BAW）和用于关键高频频段的集成无源器件的性能和制造良率。

利用优化的硅和SOI衬底实现下一代功率和射频氮化镓器件

凭借其优异的性能，氮化镓（GaN）成为功率和射频器件的领先材料。不过，在硅上生长高质量的氮化镓层面临着机械和热力方面的挑战。本白皮书探讨了优化的硅和键合SOI衬底如何通过控制应力、减少缺陷和提高硅片稳定性来支持可靠的氮化镓外延。此外，白皮书还重点介绍了SOI上氮化镓技术在实现集成紧凑型器件设计方面的优势。