功率硅片产品为不断增长的市场提供优化的衬底解决方案

由于电气化、对可再生能源的需求增加以及更高的效率标准,能源电子市场持续增长。2022 年,电力市场总额将超过200亿美金,未来几年的复合年增长率 (CAGR) 预计为 4-8%。汽车、消费电子、工业和移动市场将推动对晶圆的整体需求。

Okmetic 功率晶圆生产线为各种功率器件的制造提供了最佳衬底。我们为优化功率器件而提供的晶圆解决方案可提高功率器件的性能、降低使用成本并实现更精密的设计。

电源管理 SOI 硅片比体硅晶圆具有优势

电源管理 SOI 硅片为电源管理器件提供了一种经济高效的衬底选择,因为其固有的隔离能力推动了单片集成,从而减小了芯片尺寸。器件层和埋氧层规格的灵活性有助于实现高度的设计自由度,从而简化芯片开发流程。

电源管理 SOI 硅片结合了可定制的电阻率、严格的电阻率控制、低且受控的含氧量水平以及零体微缺陷(BMD)。我们也提供200 毫米硅片尺寸的无台阶版本。电源管理 SOI 硅片主要用于功率器件的栅极驱动器、电池和电源管理集成电路、智能功率模块以及其他采用先进 BCD 或 BiCMOS 工艺的智能功率器件。

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功率氮化镓衬底硅片提供先进的应力管理

具有先进应力管理功能的氮化镓 (GaN) 硅衬底晶圆为高达 1200 V 的横向氮化镓功率器件提供了增强型的硅基衬底。功率氮化镓衬底硅片可实现完全的可定制化,包括硅片厚度、晶向和氧含量在内的所有参数均可定制,以提高客户的氮化镓外延工艺效率和最终产品的性能。

通过在 SOI 硅片上生长氮化镓可以获得很多好处。SOI 衬底的分层结构可实现单片集成,提高器件性能和功率效率,减少位错并实现更薄的缓冲层。

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完全可定制化的功率分立器件硅片

Okmetic 在功率分立器件硅片制造方面拥有数十年的专业经验,可为客户提供定制电阻率范围在 <0.001 至 >350 Ohm-cm 之间的产品,其特点包括严格的电阻率控制、低且受控的氧含量水平以及低缺陷密度。功率分立器件硅片具有零体微缺陷、无位错和无滑移。有需要的话,其 COP 水平也是可控的。功率分立器件硅片被广泛应用于功率 MOSFET、IGBT、肖特基和功率二极管、功率 BJT、晶闸管以及其他高压和大电流器件。

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