功率分立器件硅片 

数十年来，Okmetic 一直为客户提供功率分立器件硅片产品。在硅片长晶技术上的专业性和供应量的稳定性为公司在该市场上站稳脚跟奠定了基础。  
 
客户可以对功率分立器件硅片的电阻率进行定制，且该产品具有严格的电阻率控制、低且受控的氧含量水平以及低缺陷密度，能够实现极高性能的功率分立器件，同时降低其功率的损耗。功率分立器件硅片具有零体微缺陷、无位错、无滑移等性能。有必要的话，其 COP 水平也是可控的。功率分立器件硅片能够帮助客户生长金属杂质水平极低的无失配外延层，从而实现更好的器件性能。  

Okmetic 的功率分立器件硅片被广泛应用于 IGBT、功率 MOSFET、肖特基和功率二极管、功率 BJT、晶闸管以及其他高压和大电流器件。  

电阻率介于 <0.001 至 >350欧姆-厘米之间  

Okmetic 拥有多种150至200mm的硅片产品可供选择，专为满足功率分立器件的需求而定制。硅片参数可根据客户需求调整。电阻率的定制范围介于 <0.001 至 >350欧姆-厘米之间，不过更高的电阻率也是有可能的。掺杂剂的选择包括锑、砷、硼和磷。晶向选择包括<100>、<110>和<111>。硅片厚度范围为380 至 >1150 微米，背面处理可以是蚀刻、抛光、Polyback 或 LTO 背封层结构。客户可定制多晶硅和 LTO 的不同组合（多晶、LTO、多晶-LTO、LTO-多晶、多晶-LTO-多晶）。使用 Okmetic 的低应力多晶硅可减少硅片的弯曲。定制也可以优化硅片产品的边缘。譬如，具有窄斜角的不对称边缘有利于设备制造商的背面研磨和正面斜角工艺。 

A-MCz® 的长晶工艺有利于 IGBT 

采用我们先进的 MCz（A-MCz® ）长晶工艺制造的中高电阻率硅片比使用区熔法制造的硅片具有更优异的的性能和成本效益。我们的 A-MCz® 硅片增强了晶格的稳健性、减少了位错和破损，且体微缺陷水平极低，这些都有助于提高客户工艺的良率。通过调整硅片的氧含量水平，我们还可以进一步考虑供体生成效应和沉淀行为。  

A-MCz® 长晶法制造的硅片具有超低的氧含量，其优点如下： 

• 这种方式制造的硅片比区熔法制造的硅片具备更好的防滑性和辐射硬度
• 可以达到极低的氧含量水平
• 无体微观缺陷
• 非常适合高压应用（譬如 IGBT）

功率分立器件硅片规格