功率分立器件硅片 

数十年来，Okmetic一直是值得信赖的功率分立器件晶圆供应商，自20世纪90年代以来就在汽车行业站稳了脚跟。我们在晶体生长技术方面拥有深厚的专业知识，同时拥有供应大批量定制化硅片解决方案的能力，再再彰显出我们在该领域的突出地位。  
 
客户对于200mm硅片提出了更严格的要求，这不仅因为功率器件的复杂性提高了，同时也因为预期行业逐渐转向300mm Cz法（Czochralski）制备的硅片。Okmetic的功率分立器件硅片具有可定制化的电阻率、严格管控的电阻率变化、微调的氧浓度和低缺陷密度，可实现性能极高的功率分立器件，并提高其产量。在最大限度地减少影响功率器件击穿电压的晶体缺陷方面，Okmetic拥有丰富的专业知识。  

Okmetic的功率分立器件硅片可作为非穿通型（NPT）/场截止型（FS）IGBT应用中区熔硅片的直接替代品，或作为颇具挑战性的外延沉积的衬底，被广泛应用于穿通型（PT）IGBT、功率MOSFET、高压二极管、快恢复二极管（FRD）、肖特基二极管（SBD）、晶闸管、功率双极结型晶体管（BJT）和其他双极器件等。

区熔法硅片的替代品，实现经济高效且保证其高性能

新的磁拉法（MCz）长晶工艺使Cz法的硅片成为优于区熔法（FZ）硅片的首选衬底。采用MCz和A-MCz®长晶法生长的Okmetic功率分立器件硅片适用于先进的NPT/FS IGBT器件，为客户提供了优于区熔硅片的更经济高效的替代方案。通过优化氧浓度、限制电阻率分布并增强栅极氧化物完整性（GOI），我们能够解决与直拉法相关的常见问题。

优化的氧浓度

使用A-MCz®长晶法可以在大批量生产中保证可重复的低氧浓度（Oi）水平。低Oi水平（<5.5 ppma）可最大限度地减少热供体（TD）问题并抑制体微缺陷（BMD）。此外，优化的氧含量可减少氧碳复合物的形成，这种复合物会在IGBT退火和高能注入工艺过程中导致缺陷。为了确保热供体的稳健性，所有晶圆都经过TD-kill工艺。低Oi的硅片不会因高氧浓度而产生缺陷，但仍受益于氧的强化效应。与区熔硅片相比，这提高了滑移和辐射的稳健性。

受控的电阻率分布

功率分立器件硅片在整个晶圆上表现出出色的电阻率均匀性，径向电阻率梯度（RRG）通常低于8%。Okmetic在制造更高电阻率硅片（1500欧姆-厘米或更高）方面拥有丰富的经验，可以满足最苛刻的功率器件的需求。电阻率容差是根据价格目标和所需电阻率范围确定的。

用于高品质外延的定制化外延衬底 

大批量生产的定制化硅片是我们的核心业务。我们专注于定制硅片参数，以满足最苛刻的功率器件的需求。电阻率可以从非常低到非常高进行定制，范围从0.001到>1500欧姆-厘米，同时晶圆厚度可以根据客户的工艺进行定制，范围从380到1150微米。此外，Okmetic的图案化工艺可以实现超级结和其他新型的沟槽结构。

在用于防止自动掺杂的LTO背封和用于有效吸杂的Polyback密封方面，Okmetic的产品表现出色。我们同时也提供LTO和多晶硅堆叠的各种组合，包括多晶硅-LTO-多晶硅的超级密封，以减轻结节和边缘相关的外延问题。我们的客户支持可以为您介绍我们为硅片翘曲/弯曲和电阻率窗口优化问题提供的不同方案，以确保无失配的外延层和可预测的掺杂剂/金属扩散行为。此外，我们还能够优化晶圆边缘，以满足最苛刻的工艺需求，譬如硅片减薄和超厚外延沉积等问题。

功率分立器件硅片规格